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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
13.9
15.8
写入速度,GB/s
8.6
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2927
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
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