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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
37
左右 -23% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
30
读取速度,GB/s
13.9
12.0
写入速度,GB/s
8.6
8.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2441
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
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