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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

总分
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

总分
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB 需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 50
    左右 26% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB 需要考虑的原因
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 50
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 10.2
  • 写入速度，GB/s
    8.6 left arrow 7.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2395 left arrow 2064

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较

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