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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
总分
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
37
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
23
读取速度,GB/s
13.9
15.3
写入速度,GB/s
8.6
9.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2395
2619
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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