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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
39
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
39
19
读取速度,GB/s
13.7
18.4
写入速度,GB/s
9.7
12.3
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2431
3189
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB RAM的比较
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AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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