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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
总分
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,077.3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
61
左右 -110% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
29
读取速度,GB/s
3,835.2
18.3
写入速度,GB/s
2,077.3
14.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
606
3330
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
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