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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
总分
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,077.3
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
61
左右 -135% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
26
读取速度,GB/s
3,835.2
15.7
写入速度,GB/s
2,077.3
10.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
606
3011
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
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