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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,077.3
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
61
左右 -205% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
20
读取速度,GB/s
3,835.2
19.8
写入速度,GB/s
2,077.3
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
606
3470
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
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