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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,077.3
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
61
左右 -110% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
29
读取速度,GB/s
3,835.2
18.0
写入速度,GB/s
2,077.3
16.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
606
3779
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
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