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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Kingston XWM8G1-MIE 32GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
总分
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,077.3
16.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
61
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
30
读取速度,GB/s
3,835.2
16.9
写入速度,GB/s
2,077.3
16.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
606
3704
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
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Kingston X5H5PW-MIB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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