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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kllisre 8GB
比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Kllisre 8GB
总分
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
总分
Kllisre 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
61
左右 -33% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
2,077.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kllisre 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
46
读取速度,GB/s
3,835.2
11.7
写入速度,GB/s
2,077.3
8.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
606
2349
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kllisre 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
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