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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
比较
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
总分
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
总分
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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需要考虑的原因
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
11.7
12.8
写入速度,GB/s
8.4
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 31 32 33 34 35 36 37 38
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1578
2583
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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