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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
比较
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
总分
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
65
左右 57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
65
读取速度,GB/s
11.7
16.1
写入速度,GB/s
8.4
8.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1578
1836
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB RAM的比较
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
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G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB RAM的比较
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AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix DMT351E6CFR8C-H9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
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