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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
比较
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
总分
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
49
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.7
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
49
读取速度,GB/s
11.7
10.5
写入速度,GB/s
8.4
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1578
2374
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
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