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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
72
左右 -140% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
30
读取速度,GB/s
4,241.0
16.8
写入速度,GB/s
1,938.7
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
3254
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
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