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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
72
左右 -227% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
22
读取速度,GB/s
4,241.0
17.8
写入速度,GB/s
1,938.7
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
3036
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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