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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
72
左右 -132% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
31
读取速度,GB/s
4,241.0
15.8
写入速度,GB/s
1,938.7
11.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2865
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
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Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
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