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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
72
80
左右 10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
80
读取速度,GB/s
4,241.0
14.7
写入速度,GB/s
1,938.7
8.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
1775
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
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