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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Kingston 9965589-013.A00G 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
72
左右 -112% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
34
读取速度,GB/s
4,241.0
10.0
写入速度,GB/s
1,938.7
8.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2278
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
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