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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

总分
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

总分
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Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 18.2
    测试中的平均数值
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB 需要考虑的原因
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 72
    左右 -188% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    17.4 left arrow 1,938.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    72 left arrow 25
  • 读取速度，GB/s
    4,241.0 left arrow 18.2
  • 写入速度，GB/s
    1,938.7 left arrow 17.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    677 left arrow 3848

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较

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Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
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内存RAM
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
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内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
内存RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
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内存RAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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