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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
72
左右 -188% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
25
读取速度,GB/s
4,241.0
13.4
写入速度,GB/s
1,938.7
7.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2098
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
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