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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
72
左右 -118% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
33
读取速度,GB/s
4,241.0
10.3
写入速度,GB/s
1,938.7
8.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
2235
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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