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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
71
72
左右 -1% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,938.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
72
71
读取速度,GB/s
4,241.0
15.5
写入速度,GB/s
1,938.7
8.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
677
1986
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAM的比较
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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