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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
64
左右 -178% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
23
读取速度,GB/s
4,651.3
17.0
写入速度,GB/s
2,256.8
12.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2963
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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