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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
64
左右 -191% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
22
读取速度,GB/s
4,651.3
17.7
写入速度,GB/s
2,256.8
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3117
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
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