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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
64
左右 -113% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
30
读取速度,GB/s
4,651.3
18.0
写入速度,GB/s
2,256.8
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3385
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C10D3L/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
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