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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
64
左右 -205% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
21
读取速度,GB/s
4,651.3
18.1
写入速度,GB/s
2,256.8
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3033
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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