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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
64
左右 -220% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
20
读取速度,GB/s
4,651.3
18.7
写入速度,GB/s
2,256.8
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3287
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
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