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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
64
左右 -121% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
29
读取速度,GB/s
4,651.3
19.0
写入速度,GB/s
2,256.8
15.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3714
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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