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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
64
左右 -191% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
2,256.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
22
读取速度,GB/s
4,651.3
16.1
写入速度,GB/s
2,256.8
8.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2340
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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