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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
64
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
33
读取速度,GB/s
4,651.3
16.6
写入速度,GB/s
2,256.8
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2947
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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