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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
64
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
32
读取速度,GB/s
4,651.3
16.5
写入速度,GB/s
2,256.8
10.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2739
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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