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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
64
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
2,256.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
26
读取速度,GB/s
4,651.3
14.3
写入速度,GB/s
2,256.8
8.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2384
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-035.D00G 16GB
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Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
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