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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
64
左右 -205% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
21
读取速度,GB/s
4,651.3
18.5
写入速度,GB/s
2,256.8
13.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3202
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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