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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
12.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
64
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
33
读取速度,GB/s
4,651.3
15.8
写入速度,GB/s
2,256.8
12.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2994
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
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