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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
64
左右 -137% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
27
读取速度,GB/s
4,651.3
18.7
写入速度,GB/s
2,256.8
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3327
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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