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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
64
左右 -106% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
31
读取速度,GB/s
4,651.3
18.2
写入速度,GB/s
2,256.8
15.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3672
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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