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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
64
左右 -121% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
29
读取速度,GB/s
4,651.3
17.3
写入速度,GB/s
2,256.8
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3508
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
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