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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston 9905625-030.A00G 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
64
左右 -78% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
36
读取速度,GB/s
4,651.3
14.5
写入速度,GB/s
2,256.8
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2608
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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