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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston 9965643-002.A01G 4GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
64
左右 -178% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
23
读取速度,GB/s
4,651.3
16.2
写入速度,GB/s
2,256.8
12.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2546
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
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