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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
64
左右 -113% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
30
读取速度,GB/s
4,651.3
15.8
写入速度,GB/s
2,256.8
11.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3086
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
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