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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

总分
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

总分
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Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,256.8 left arrow 12.2
    测试中的平均数值
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB 需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 64
    左右 -88% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    64 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    4,651.3 left arrow 15.9
  • 写入速度，GB/s
    2,256.8 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    837 left arrow 2910

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较

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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Kingston 9905663-005.A00G 16GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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内存RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Kingston 9965604-001.D00G 16GB
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Kingston 9905744-006.A00G 16GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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