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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
64
96
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
5.9
2,256.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
96
读取速度,GB/s
4,651.3
10.5
写入速度,GB/s
2,256.8
5.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
1211
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
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