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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
64
左右 -137% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.4
2,256.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
27
读取速度,GB/s
4,651.3
11.2
写入速度,GB/s
2,256.8
5.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
1774
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
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