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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
64
左右 -156% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
2,256.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
25
读取速度,GB/s
4,651.3
14.6
写入速度,GB/s
2,256.8
6.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
2073
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
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