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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
57
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
57
读取速度,GB/s
9.7
16.8
写入速度,GB/s
6.0
13.7
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2792
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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