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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
9.7
14.4
写入速度,GB/s
6.0
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3078
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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