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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
9.7
21.4
写入速度,GB/s
6.0
16.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3739
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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