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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
9.7
20.0
写入速度,GB/s
6.0
17.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3815
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
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