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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
84
左右 50% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
84
读取速度,GB/s
9.7
12.8
写入速度,GB/s
6.0
10.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
1932
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
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Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
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